Post-CMP清洗设备
应用于硅片和碳化硅衬底制造
盛美上海的Post-CMP设备用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗，有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置。该清洗设备6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅（SiC）衬底制造；8英寸和12英寸配置适用于硅片制造。
Post-CMP清洗设备
主要优势
在CMP步骤之后，需要在低温下使用稀释的化学品进行物理预清洗工艺，以减少颗粒数量。盛美上海的Post-CMP清洗设备能够满足这些要求，并提供多种配置，包括盛美上海自主研发的 Smart MegasonixTM先进清洗技术。
特性和规格（Ultra C WPN（WIDO））
在线预清洗设备：
可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒或28纳米以下
20-25个剩余颗粒
金属污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以内
当配置4个腔体的时候，产能可达每小时35片晶圆
离线预清洗设备：
可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒或28纳米以下
20-25个剩余颗粒
占地面积小
特性和规格（Ultra C WPN（DIDO））
可配置四个装载端口
占地面积小
可配置四或六个腔体，分别为两个软刷和两个清洗腔体或两个软刷和四个清洗腔体
可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒或28纳米以下20-25个剩余颗粒
最高产能可达每小时60片晶圆
