单晶圆清洗设备

应用于先进集成电路制造，包括逻辑电路，存储器以及功率器件制造

盛美的Ultra C单晶圆清洗系列可广泛应用于先进集成电路制造中多种前段工艺（FEOL）和后段工艺（BEOL）,可跟据不同应用配备不同化学药液与辅助清洗方式，也可应用于晶圆制造、MEMS制造，以及功率器件制造领域。

应用领域

• 沉积前清洗

• 蚀刻后清洗

• CMP后清洗

• RCA标准清洗

• W Loop后清洗

• Cu Loop后清洗

• 去除BEOL聚合物

• 深层Trench/Via清洗

• 薄膜去除

• TSV后清洗

• EPI前清洗

• ALD前清洗

主要优势和特性规格（Ultra C II & Ultra C V & Ultra C VI）

可配8腔体，12腔体和18腔体，产能可达225片/小时,375片/小时和800片/小时

具有双面清洗的能力，最多可配至5种清洗药液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方药液；集成式药液供给模块

最多可回收2种药液，低COO

可选配常温IPA或者高温IPA增强型干燥技术

可选配氮气雾化DIW二流体清洗或氮气雾化SC1二流体清洗来辅助去除颗粒杂质

可选配盛美研发的SAPS兆声波技术进行平坦表面或深孔结构中的湿法清洗

可选配盛美研发的TEBO兆声波技术对图形片来进行高效无损伤清洗

设备尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35m×6.30m×2.85m (宽×长×高)